Официальный сайт факультета
Факультет электроники (ФЭЛ)
|
Декан
Соломонов Александр Васильевич
доктор физико-математических наук, профессор |
Дорогие друзья!
Спасибо за проявленный интерес к факультету электроники. Надеюсь, что ваше любопытство обусловлено желанием узнать, что находится внутри мобильного телефона или компьютера, как это все изготовили, есть ли предел наращивания их возможностей и какие физические принципы следует использовать, чтобы расширить возможности подобных электронных устройств?
Ответы на эти и другие вопросы знают выпускники факультета электроники, среди которых лауреат Нобелевской премии, много ученых, инженеров, успешных бизнесменов, поэтов и музыкантов. Столь широкий спектр профессий обусловлен тем, что образование базируется на глубокой естественнонаучной подготовке, направленной на развитие творческих способностей. Чтобы быть успешным, учиться придется всю жизнь. Высшее образование на факультете электроники – успешное начало.
Мы ждем заинтересованных и увлеченных.
Декан факультета |
|
д-р физ.-мат. наук, профессор
Соломонов Александр Васильевич
|
Структура подготовки на факультете электроники
Направление подготовки:
- Электроника и микроэлектроника 210100
- Нанотехнология 210600
Магистратура
Срок обучения в магистратуре - 2 года
Магистерские программы
- Нанотехнология
- Наноэлектроника и фотоника
- Нано и микросистемная техника
- Нанотехнология и диагностика
- Микроволновая и телекоммуникационная электроника
- Вакуумные и плазменные технологии электронной компонентной базы
- Физическая электроника
- Электронные приборы и устройства
- Физика и технология лазерных и оптико-электронных систем
- Полупроводниковая оптоэлектроника
Работа с абитуриентами.
Руководитель : Андреева Анжела Витальевна (к.т.н., доцент, зам. декана по профориентации)
Вся дополнительная информация на сайте http://eltech-fel.ru
Приемный день: СРЕДА с 15 до 19ч
Аудитория: 5375 (5 корпус 3 этаж).
Новые лаборатории.
Нанолаборатория Nanolab NTEGRA. Позволяет решать широкий круг задач по наноскопии, спектроскопии, модификации наноучастков поверхности и манипуляции. Из методов нанолитографии: локальное анодное окисление, нанолитография "погруженного пера"(dih-pen) и силовая (plowing) нанолитография.
УНЛ "Наноматериалы". Инновационное оборудование по сорбиметрии (определение развитой поверхности наноматериалов).
УНЛ «Фотоника».
К. ф.-м.н., доцент МЭ Комков Олег Сергеевич УНЛ «Фотоника».
Лаборатория Фурье-спектроскопии. Фурье-спектрометр. |
Вакуумный пост. |
|
|
|
|
Гелиевый криостат замкнутого цикла и LCR-метр для измерения спектров адмиттанса наноструктур. |
|
|
|
|
Микроскоп
Магистрант Тугов за установкой ультразвуковой микросварки (УНЛ"Фотоника")
Современный участок для механической обработки монокристаллических пластин карбида кремния.
Центр микротехнологии и диагностики
…прецизионное травление и наблюдение оказываются востребованными при работе с такими микро- и нанообъектами как, интегральные микросхемы…
|
|
Установка Strata FIB 205 ( FIB – Focused Ion Beam) эксплуатируемая в
Центре Микротехнологии и Диагностики (ЦМИД) СПбГЭТУ «ЛЭТИ» |
Карбидокремниевая микрошестерёнка диаметром 20 мкм |
…достижения высокой точности обработки может служить заострение зонда атомно-силового микроскопа . Объект обработки представляет собой отдельно стоящую кремниевую структуру в виде иглы. Из серии образцов минимальный получаемый диаметр составлял 70 нм. Изготавливались также Si и SiC структуры…
|
|
Заострение зонда атомно-силового микроскопа |
Автоэмиссионное остриё сформированное на Si |
…химических реагентов в область воздействия ионного пучка позволяет получить избирательное химическое травление или осаждение. Вещество в газообразном виде подаётся через тонкую трубку непосредственно к месту реакции, что позволяет сохранять в камере с образцом вакуум на уровне 10-2–10-3 Па достаточный для растровой ионной…
|
|
Селективное удаление диэлектрика между металлическими проводниками |
Локальное осаждение Pt и её поперечный срез |
Вся дополнительная информация на сайте http://nano-stalker.ru
Обучение студентов за рубежом.
Лаппеенрантский Технологический Университет (Финляндия).
Проходя обучение за рубежом, студенты не только получают диплом международного образца, но и навыки общения в международной среде.
Вся дополнительная информация на сайте http://eltech-fel.ru
Трудоустройство выпускников:
Практика для абитуриентов:
http://eltech-fel.ru
|
Зам. декана по учебной работе
Гульков Валерий Николаевич
кандидат технических наук, доцент
E-mail: VNGulkov@mail.eltech.ru |
|
|
|
Зам. декана по учебно-методической работе
Павловская Мария Владимировна
кандидат физико-математических наук, доцент |
|
Секретарь
Доронина Ольга Васильевна |
|
|
|
Секретарь
Дмитричева Марина Тауновна |
|
Телефоны деканата: (812) 234-40-63
Электронная почта: fel@eltech.ru
Аудитория: 5373
Часы работы: 11-16 , кроме среды
Деканат |
|
|
Аспирантура |
|
- 01.01.02 - Дифференциальные уравнения
- 01.04.03 - Радиофизика
- 01.04.10 - Физика полупроводников
- 05.11.07 - Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы
- 05.11.13 - Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий
- 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах
- 05.27.02 - Вакуумная и плазменная электроника
- 05.27.03 - Квантовая электроника
- 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
- 25.00.36 - Геоэкология
|
|
Состав факультета |
|
|
|
О факультете |
|
Факультет электроники, созданный в 1999 году, объединил кафедры факультета электронной техники (ФЭТ) и электрофизического факультета (ЭФФ).
Выпускники факультета работают в России и за рубежом, в коммерческих и государственных структурах; занимаются разработкой, конструированием, производством и эксплуатацией всех типов вакуумных, плазменных, квантовых, твердотельных, микроэлектронных приборов и устройств. Семь выпускающих кафедр факультета ведут научные исследования по новейшим направлениям электроники. Со студентами работают 2 академика и 2 члена-корреспондента Российской академии наук, 31 профессор, 78 доцентов. Выпускник факультета академик Ж. И. Алферов в 2000 году удостоен Нобелевской премии в области физики.
|
|