Основные учебные и учебно-методические издания

Островский Ю. И. Голография и ее применения. Л.: Наука, 1973.

Челноков В. Е., Евсеев Н. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия. 1973.

Андреев В. М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. Под ред. Ж. И. Алферова. М.: Советское радио, 1975.

Зайдель А. Н., Островская Г. В., Островский Ю. И. Техника и практика спектроскопии. М.: Наука, 1976.

Алферов Ж. И. Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе. В международном ежегоднике «Наука и человечество», М.: Знание, 1976.

Островский Ю. И., Бутусов М. М., Островская Г. В. Голографическая интерферометрия. М.: Наука, 1977.

Оптическая голография и ее применения /Под ред. Ю. Н. Денисюка, Ю. И. Островского. Л.: Наука, 1977.

Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.

Бугаев А. А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Под ред. Ж. И. Алферова. Л.: Наука. 1979.

Алферов Ж. И., Андреев В. М. Перспективы фотоэлектрического метода преобразования солнечной энергии: В сб. Преобразование солнечной энергии. Черноголовка, 1981

Andreev V. М. Heterostructure Solar Energy Converters. In Proc. Third Intern. School, Cetniewo. 1981. Charpter 20.

Эфрос А. Я Физика и геометрия беспорядка. М.: Наука, 1982. (Библиотека "Квант", В. 19).

Отблеск А. Е., Челноков В. Е. Физические проблемы в силовой полупроводниковой электроники. Л.: Наука, 1984.

Shklovskii B. I., Efros A. L Electronic properties of doped semiconductor. Berlin etc.: Springer, 1984, XII, (Springer series in solid state sciences. V. 45).

Фотоприемники и фотопреобразователи. Сб. науч. трудов (АН СССР. ФТИ им. А. Ф. Иоффе). Отв. ред. Ж. И. Алферов, Ю. В. Шмарцев. Л.: Наука, 1986.

Челноков В. Е., Жиляев Ю. В., Соболев Н. А., Попов И. В. Силовые полупроводниковые приборы. М., 1986. (Итоги науки и техники. Сер. Силовая преобразовательная техника, Т. 4).

Андреев В. М. Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе гетероструктур. В сб. «Чтения памяти А. Ф. Иоффе». Л.: Наука 1987.

Островский Ю. И., Щепиков В. П., Яковлев В. В. Голографические интерференционные методы измерения деформаций. М.: Наука, 1988.

Semiconductor Heterostructures: physical processes and applications. Ed. by Zh.I. Alferov, M. Mir, 1989.

Андреев В. М., Грилихес В. А., Румянцев В. Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. Под ред. Ж. И. Алферова. Л.: Наука, 1989

Перель В. И., Б. П. Захарченя, М. И. Дьяконов и др. Оптическая ориентация. Под. ред. Б. П. Захарчени и др. Л.: Наука, 1989.

Abakumov V. N., Perel V. I., Yassievich I. N. Nonradiative recombination in semiconductors. — Amsterdam etc.: North-Holland, 1991, XV, (Modern problems in condensed matter sciences. V. 33).

Chernov A. S., Skobov V. G. Doppler-shifted Cyclotron resonance in Metals, Phys. Reports, V. 244, No 1, 1994.

Ж.И.Алферов. Физика и жизнь Наука, Москва-СПб, 2001, 288

Л.Е.Воробьев, С.Н.Данилов, Г.Г.Зегря, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин, И.Н.Яссиевич, Е.В.Берегулин, Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах, Наука, СПб, 2001, 248.

M.Ustinov, A.E.Zhukov, A.Yu.Egorov, N.A.Male Quantum Dot Lasers, Series on Semiconductor Science and Technology. Oxford University Press, 2003, 300 IS.

М.И.Векслер, Г.Г.Зегря Расчет стационарных магнитных полей. ФТИ им.Иоффе РАН, СПб, 2003, 63.

М.И.Векслер, Г.Г.Зегря Расчет стационарных электрических полей, ФТИ им.Иоффе РАН, СПб, 2003, 70.

Конференция Соросовских учителей физики и математики Санкт-Петербурга Редактор-составитель: Г.С. Соколовский НОЦ ФТИ им.Иоффе РАН, СПб 2004, 150.

V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, D.Bimberg, Epitaxy of Nanostructures Series: NanoScience and Technology. Springer 2004, 387.

Ж.И.Алферов. Физика и жизнь. Наука, Москва-СПб, 2005, 383